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郜晓勇
【姓名】
郜晓勇
【职称】
【研究领域】
物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
缺陷控制,结晶学,自选择,扩散控制,对称性,多孔硅,形成机理,英文,物理工程,材料物理,郑州大学,重点实验室,教育部,郑州,结晶学原理,学院,多晶,ranging,腐蚀机理,晶体生长,
【工作单位】
郑州大学
【曾工作单位】
郑州大学;
【所在地域】
郑州
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共找到1篇
[1]王海燕,卢景霄,郜晓勇,孙晓峰,段启亮.
多孔硅形成机理的逆结晶学模型(英文)
[J]人工晶体学报.2005,(01)
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