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[1]张锦心,刘培东,李立本.硅中的氮氧复合物及其施主行为[J]浙江大学学报(工学版).2000,(06)
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[2]李东升,杨德仁,朱爱平,黄笑容,王淦,张锦心,李立本,阙端麟.氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用[J]半导体学报.2001,(11)
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[3]刘培东,张锦心,李立本,阙端麟.硅中的氮氧复合物及其施主行为[J]半导体学报.1999,(12)
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[4]李立本,张锦心,陈修治,阙端麟.采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究[J]浙江大学学报(自然科学版).1990,(03)
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[5]阙端麟,李立本,陈修治,林玉瓶,张锦心,周晓,杨建松.减压氮保护直拉硅单晶生长[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1991,(02)
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[6]阙端麟,李立本,陈修治,林玉瓶,张锦心,周晓,杨建松.CZOCHRALSKI SILICON CRYSTAL GROWTH IN NITROGEN ATMOSPHERE UNDER REDUCED PRESSURE[J]Science in China,Ser.A.1991,(08)
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[7]刘培东,余思明,李立本,张锦心,阙端麟.硅中的氮氧复合物和碳氧复合物[J]半导体学报.1992,(11)
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[8]陈畅生,曾繁清,曾瑞,陈炳若,龙理,何民才,张锦心,李立本.p型含氮CZ—Si单晶的退火性质[J]半导体学报.1993,(01)
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[9]石志仪,谢书银,佘思明,李立本,张锦心.含氮CZ硅力学行为研究[J]半导体学报.1993,(03)
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