张昊翔
【姓名】 张昊翔
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SiC,功率器件,外延层,GaN薄膜,光峰,锗硅应变外延层,双晶X射线衍射,衍射峰,SiC材料,外延,半高宽,GaN外延层,氮化镓,锗硅,闸流晶体管,化学气相沉积,外延薄膜,近带,光致发光,截止电压,...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]张昊翔;丁青青;姚霞;周倩;刘登宇;魏晓;贝红斌;.热处理对一种新型析出强化型奥氏体不锈钢显微组织与性能的影响[J]电子显微学报.2024,(05)
[2]李威霖;丁青青;吴中天;张昊翔;唐俊杰;姚霞;魏晓;张跃飞;沈永强;张泽;贝红斌;.时效工艺对Inconel 718合金显微结构和力学性能的影响[J]电子显微学报.2023,(05)
[3]叶志镇,张昊翔,赵炳辉,王宇,刘红学.硅基GaN外延晶体学位相关系和生长机理研究[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
[4]叶志镇,陈汉鸿,刘榕,张昊翔,赵炳辉.直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱[J]半导体学报.2001,(08)
[5]张昊翔,叶志镇,卢焕明,赵炳辉.硅基GaN外延层的光致发光谱[J]半导体光电.1999,(02)
[6]张昊翔,叶志镇,卢焕明,赵炳辉,阙端麟.硅基GaN薄膜的外延生长[J]半导体学报.1999,(02)
[7]张昊翔,卢焕明,叶志镇,赵炳辉,汪雷,阙端麟.Si基GaN外延层光致发光光谱与二次离子质谱的研究[J]物理学报.1999,(07)
[8]卢焕明,叶志镇,黄靖云,汪雷,赵炳辉,张昊翔.超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究[J]真空科学与技术.1999,(01)
[9]张昊翔,叶志镇,赵炳辉,袁骏.硅基GaN外延层的SIMS及XPS研究[J]真空科学与技术.1999,(05)
[10]张昊翔,叶志镇.SiC材料及其在功率器件方面应用研究进展[J]材料科学与工程.1998,(03)
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