于映
【姓名】 于映
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 分层蒸镀,区域熔融技术,InSb薄膜,硅薄膜,氮化,穿场,电阻率,电子迁移,击穿场强,光学性能,金属衬底,沉积温度,区域熔融,PECVD法,迁移率,电子迁移率,基片温度,氮化硅,PECVD,蒸镀,反应...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]于映，陈抗生.真空分层蒸镀InSb薄膜的研究[J]真空电子技术.1995,(04)
[2]于映，陈抗生.用PECVD法在金属衬底上沉积氮化硅薄膜[J]电子元件与材料.1996,(01)
[3]于映,陈抗生.区域熔融技术在InSb薄膜热处理中的应用研究[J]真空科学与技术.1996,(03)
[4]于映，陈抗生.氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究[J]真空电子技术.1996,(02)
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