杨建松
【姓名】 杨建松
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;数学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 直拉硅单晶,直拉硅,晶体生长,原生氧沉淀,微氮直拉硅单晶,载流子浓度,重掺直拉硅,内吸杂,氮杂质,氧沉淀,单晶生长,硅单晶,掺氮,氮浓度,新施主,含氮,热施主,氮氧复合体,退火时间,间隙氧,热处理时间...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]余学功,杨德仁,杨建松,马向阳,李立本,阙端麟.大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响[J]半导体学报.2003,(01)
[2]余学功,杨德仁,马向阳,杨建松,阙端麟.重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力[J]半导体学报.2003,(06)
[3]张溪文，杨建松，李立本，阙端麟.微氮直拉硅单晶中氮杂质的施主行为[J]半导体学报.1996,(10)
[4]阙端麟,李立本,陈修治,林玉瓶,张锦心,周晓,杨建松.减压氮保护直拉硅单晶生长[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1991,(02)
[5]阙端麟,李立本,陈修治,林玉瓶,张锦心,周晓,杨建松.CZOCHRALSKI SILICON CRYSTAL GROWTH IN NITROGEN ATMOSPHERE UNDER REDUCED PRESSURE[J]Science in China,Ser.A.1991,(08)
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