杨成兴
【姓名】 杨成兴
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;物理学;
【研究方向】 半导体材料及薄膜的研究
【发表文献关键词】 ZnO薄膜,雾化裂解,电学及光学性能,反应沉积,紫外辐射光吸收,溶胶-凝胶法,X射线衍射分析,衬底温度,热场,雾化热,薄膜,旋涂,光电性,膜厚均匀性,光致发光,载流子浓度,c轴取向,X射线衍射,取向性...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]季振国,杨成兴,刘坤,叶志镇.热场对雾化裂解CVD沉积的薄膜厚度均匀性的影响[J]材料科学与工程学报.2003,(04)
[2]季振国,宋永梁,杨成兴,刘坤,王超,叶志镇.溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及表征[J]半导体学报.2004,(01)
[3]刘坤,季振国,杨成兴,芮祥新,王龙成,叶志镇.反应沉积法制备c轴取向ZnO薄膜及表征[J]真空科学与技术.2002,(06)
[4]杨成兴,季振国,刘坤,樊瑞新,叶志镇.雾化热解法制备ZnO薄膜及其光电性能[J]半导体学报.2002,(10)
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