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[1]张小伟;唐志峰;吕福在;王亚东;柳伟续;.基于半解析有限元法的多层管超声导波数值模拟与试验研究[J]机械工程学报.2014,(08)
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[2]王亚东,黄靖云,叶志镇.半导体量子点的器件应用[J]半导体光电.2000,(05)
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[3]王亚东,黄靖云,王龙成,叶志镇.半导体量子点的生长机理及特性[J]半导体技术.2000,(06)
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[4]王亚东,王龙成,叶志镇,黄靖云.三元合金锗硅碳的器件应用研究[J]半导体情报.2000,(06)
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[5]王亚东,叶志镇,黄靖云.硅基量子点器件[J]半导体杂志.2000,(03)
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[6]王亚东,黄靖云,叶志镇,赵炳辉.多孔硅上生长Ge量子点的光学特性[J]半导体学报.2001,(09)
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[7]王亚东,叶志镇,黄靖云,赵炳辉.碳对Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金氧化的影响[J]半导体学报.2001,(09)
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[8]王亚东,黄靖云,叶志镇,汪雷,马德群,赵炳辉.UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究[J]材料科学与工程.2001,(02)
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[9]王亚东,黄靖云,叶志镇,章国强,亓震,赵炳辉.UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金的应变研究[J]真空科学与技术.2001,(03)
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[10]王亚东,叶志镇,黄靖云,赵炳辉,亓震.退火对UHVCVD外延生长锗硅碳三元合金的影响[J]真空科学与技术.2001,(04)
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