王淦
【姓名】 王淦
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 位错,硅,掺杂,氮,硅单晶,滑移,机械强度,三点弯,直拉单晶硅,氮杂质,掺氮,CZSi,方法研究,激活能,硅材料,滑移速度,受压面,单晶硅,CZ硅,国家重点实验室,直拉硅,热处理,浙江大学,塑性变形能...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 浙江杭州
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[3]王淦,杨德仁,李东升,杨辉,李立本,阙端麟.用三点弯方法研究微氮硅单晶机械强度[J]半导体学报.2001,(03)
[4]李东升,杨德仁,朱爱平,黄笑容,王淦,张锦心,李立本,阙端麟.氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用[J]半导体学报.2001,(11)
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[1]王淦.微氮直拉硅单晶的机械性能研究[D].浙江大学.2002
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