陶永升
【姓名】 陶永升
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 互作用,功函数,有机半导体,性质研究,上生,极化,电子结构,光电子谱,并四苯,银表面,物理系,浙江大学,薄膜生长,杭州,XPS测量,单原子层,电子性质,相互作用行为,覆盖度,相互作用,费密能,层状生长...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]胡昉,张寒洁,吕斌,陶永升,李海洋,鲍世宁,何丕模,王学森.Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究[J]物理学报.2005,(03)
[2]陶永升,张寒洁,吕斌,黄寒,李海洋,鲍世宁,何丕模.Ag(110)表面并四苯薄膜生长光电子谱研究[J]真空科学与技术学报.2005,(01)
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