汤艳
【姓名】 汤艳
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 直拉硅,热施主,内吸杂,氮氧复合体,吸杂,金属,硅,氧,氧沉淀,氧施主,p型,超大规模集成电路,洁净区,硅材料,载流子浓度,复合体,二次缺陷,氧浓度,浙江大学,Magic,国家重点实验室,分凝,浅热施...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]汤艳,杨德仁,马向阳,李东升,樊瑞新,阙端麟.超大规模集成电路硅片的内吸杂[J]材料导报.2003,(05)
[2]余学功,杨德仁,马向阳,汤艳,李东升,李立本,阙端麟.p型微氮直拉硅中氧施主的电学特性[J]半导体学报.2002,(04)
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中国优秀硕士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]汤艳.直拉单晶硅内吸杂研究[D].浙江大学.2002
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