裴艳丽
【姓名】 裴艳丽
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;金属学及金属工艺;
【研究方向】 硅中杂质与缺陷的研究
【发表文献关键词】 硅,氮化硅,氮化,氮离子注入,热施主,SOI,X射线光电子谱,生长机理,硅膜,快速热处理,生长动力学,动力学,薄膜制备,注入剂量,直接氮化,高温热处理,直接氮化法,氮气氛,氮注入,SOI材料,埋层,氮...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]裴艳丽,杨德仁,马向阳,樊瑞新,阙端麟.高温快速热处理对硅中热施主的影响[J]半导体学报.2003,(10)
[2]祝洪良,杨德仁,汪雷,裴艳丽,阙端麟,张寒洁,何丕模.氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化[J]半导体学报.2003,(10)
[3]裴艳丽,杨德仁.硅中氮离子注入的研究进展[J]材料导报.2003,(02)
[4]祝洪良,裴艳丽,杨德仁.氮化硅薄膜制备和生长动力学研究进展[J]材料导报.2002,(12)
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[1]裴艳丽.直拉硅单晶的快速热处理（RTP）研究[D].浙江大学.2003
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