孟祥森
【姓名】 孟祥森
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 APCVD,薄膜,氮氧化硅,氮化硅,制备,硅薄膜,高温氧化性,高温氮化,氮氧化,氮化,物理气相沉积,化学气相沉积,常压化学气相沉积,表面改性,基板温度,硬度,薄膜性能,平板玻璃,制备方法,法制,特征吸...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]孟祥森,马青松,葛曼珍,杨辉.常压化学气相沉积法氮氧化硅薄膜性能的研究[J]硅酸盐通报.2000,(02)
[2]孟祥森,袁骏,马青松,葛曼珍,杨辉.氮氧化硅薄膜制备方法的研究[J]材料科学与工程.1999,(04)
[3]孟祥森,宋晨路,余京松,葛曼珍,杨辉.低温APCVD法制备氮化硅薄膜[J]陶瓷学报.1999,(03)
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