姜益群
【姓名】 姜益群
【职称】
【研究领域】 建筑科学与工程;无线电电子学;一般化学工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧沉淀,CZ硅,直拉硅,长大机制,硅中氧,氧复合,成核,高碳,均匀成核,TEM观察,异质,高温预处理,红外光谱,异质核心,透射电镜研究,碳原子,高分辨,热处理条件,高密,特征峰,
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]刘培东,姜益群,黄笑容,沈益军,李立本,阙端麟.高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制[J]半导体学报.2005,(05)
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