姜小波
【姓名】 姜小波
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;投资;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 锗硅材料,清洗工艺,表面化学,外延层,表面沾污,租赁项目融资,微电,清洗效果,试验设计法,化学清洗,表面偏析,超高真空CVD,硅材料,硅表面,硅锗,硅锗外延层,沾污量,杂质氧,低温外延,生长速率,项目...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 浙江杭州
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[1]柴彭颐,姜小波,刘钻石.租赁项目融资中的金融风险管理[J]预测.2004,(03)
[2]叶志镇,黄靖云,卢焕明,姜小波,汪雷,赵炳辉,阙端麟.硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究[J]半导体学报.1999,(01)
[3]黄靖云,卢焕明,叶志镇,姜小波,袁骏,汪雷,赵炳辉,阙端麟.超高真空CVD生长的Si_(1-x)Ge_x合金组分变化与表面偏析现象[J]真空科学与技术.1999,(02)
[4]叶志镇，姜小波，袁骏，李剑光.超净硅片表面化学清洗工艺的优化研究[J]半导体学报.1996,(05)
[5]姜小波,叶志镇.锗硅材料在微电子、光电子方面的应用[J]材料科学与工程.1996,(03)
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