高根生
【姓名】 高根生
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 集成电路CAD的研究
【发表文献关键词】 光刻仿真,光学邻近校正,卷积核,光刻模拟,交替移相掩模,相位冲突图,标准单元,矩阵分解,可制造性设计,移相掩模,光学邻近效应校正,空间点,标准单元设计,标准单元验证,光强,成像算法,增强技术,快速计算...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]张培勇;严晓浪;史峥;高根生;.超深亚微米与纳米级标准单元的可制造性设计与验证技术[J]电路与系统学报.2006,(05)
[2]史峥,王国雄,严晓浪,陈志锦,高根生.一种基于卷积核用于光刻模拟的计算稀疏空间点光强的方法(英文)[J]半导体学报.2003,(04)
[3]王国雄,史峥,严晓浪,陈志锦,高根生,熊军.用于光刻模拟的快速计算稀疏空间点光强的方法[J]计算机辅助设计与图形学学报.2003,(07)
[4]高根生,史峥,陈晔,严晓浪.一种用于标准单元版图交替移相掩模相位兼容性规则检查的工具[J]半导体学报.2004,(05)
[5]严晓浪,陈晔,史峥,马玥,高根生.基于密集采样成像算法的全芯片可制造性检查技术[J]中国科学E辑:信息科学.2005,(02)
[6]张培勇,严晓浪,史峥,高根生,马玥,陈晔.亚100纳米级标准单元的可制造性设计[J]电子学报.2005,(02)
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