方乾明
【姓名】 方乾明
【职称】
【研究领域】 工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 单晶薄膜,金膜,外延生长,真空,单晶膜,蒸发源,沉积率,真实温度,点源,亮度温度,单晶体,单晶,金原子,衬底温度,蒸镀,金源,沟道,透射电镜,底表面,衍射斑点,
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】
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[1]邵健中,黄民智,方乾明.真空中外延生长金单晶薄膜[J]真空.1983,(05)
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