丁扣宝
【姓名】 丁扣宝
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;计算机软件及计算机应用;
【研究方向】 微电子学、半导体材料物理等研究
【发表文献关键词】 少子产生寿命,计算机辅助测量,抛物线势阱,二维电子气,产生寿命,PN结二极管,I-V正向特性,MOS结构,势阱,产生区宽度模型,产生区宽度,能级,参数提取,半导体,抛物线型,特性提取,PSPICE,V...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 浙江杭州
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[10]韩雁;张斌;丁扣宝;张世峰;韩成功;胡佳贤;朱大中;.Hot-carrier-induced on-resistance degradation of step gate oxide NLDMOS[J]半导体学报.2010,(12)
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