储佳
【姓名】 储佳
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧化诱生层错,智能切割,硅片,SOI,键合,清洗,直拉硅,金属沾污,透射电镜,微氮直拉硅单晶,硅片清洗,微粗糙度,SOI技术,硅表面,氧化层,颗粒,硅片键合,清洗工艺,有机沾污,硅材料,双氧,清洗液,...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 浙江杭州
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[1]徐进,杨德仁,储佳,马向阳,阙端麟.微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究[J]物理学报.2004,(02)
[2]储佳,路景刚,叶龙飞,杨德仁,阙端麟.一种新的SOI技术──智能切割[J]半导体技术.2001,(01)
[3]储佳,马向阳,杨德仁,阙端麟.硅片清洗研究进展[J]半导体技术.2001,(03)
[4]储佳;杨德仁;阙端麟;.直拉硅中氧化诱生层错研究进展[J]材料导报.2001,(11)
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