大久保靖
【姓名】 大久保靖
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 退火装置,脉冲电子束,砷硅,准谱,背散射谱,退火实验,电子束退火,激活率,热电子,随机谱,晶格损伤,微法,背散射,背散射测量,液相外延,半导体表面,载流子浓度,无定形层,霍尔测量,退火作用,
【工作单位】 早稻田大学
【曾工作单位】 早稻田大学;
【所在地域】
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[1]伊藤纠次,饶德祥,田村英男,大久保靖.脉冲电子束退火装置及其对注砷硅的退火结果[J]半导体学报.1981,(03)
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