祝洪良
【姓名】 祝洪良
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 硅的氮化研究
【发表文献关键词】 光声耦合,氮化硅,氮化,光子Cooper对,光子,X射线光电子谱,硅,能隙,超流,Cooper对,生长机理,硅膜,高温热处理,氮气氛,生长动力学,声子,动力学,薄膜制备,直接氮化,直接氮化法,硅材料,...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]祝洪良,杨德仁,汪雷,裴艳丽,阙端麟,张寒洁,何丕模.氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化[J]半导体学报.2003,(10)
[2]祝洪良,裴艳丽,杨德仁.氮化硅薄膜制备和生长动力学研究进展[J]材料导报.2002,(12)
[3]沈建其,祝洪良,朱红毅.光声耦合与光子Cooper对[J]激光与红外.2002,(05)
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