朱爱平
【姓名】 朱爱平
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 位错,氮,硅单晶,滑移,直拉单晶硅,氮杂质,掺氮,CZSi,激活能,滑移速度,硅材料,单晶硅,热处理,塑性变形能,含氮,国家重点实验室,浙江大学,钉扎作用,直拉硅单晶,氧沉淀,
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]李东升,杨德仁,朱爱平,黄笑容,王淦,张锦心,李立本,阙端麟.氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用[J]半导体学报.2001,(11)
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