谢刚
【姓名】 谢刚
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;有机化工;化学;
【研究方向】 化学反应工程研究工作
【发表文献关键词】 PTA,氧化,传质,CTA平均粒径,PX氧化,氧浓度分布,对二甲苯,气液,氧化反应器,反应器模拟,富氧工艺,反应时间,液相,反应器,催化氧化反应,反应器模型,粒径,国产化研究,国产化,浙江大学,反应速...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]侯明辰;谢刚;郭清;盛况;.Protection of isolated and active regions in AlGaN/GaN HEMTs using selective laser annealing[J]Chinese Physics B.2021,(09)
[2]侯明辰;谢刚;盛况;.Mechanism of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures via laser annealing[J]Chinese Physics B.2019,(03)
[3]王柳敏;金锐;谢刚;于佳泓;盛况;.基于高压大电流模块应用的3300V软穿通快速IGBT的设计[J]固体电子学研究与进展.2017,(01)
[4]王柳敏;金锐;徐晓轶;谢刚;盛况;.带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构[J]半导体技术.2016,(04)
[5]于佳弘;李涵悦;谢刚;王柳敏;金锐;盛况;.一种带有p型阻挡层的新型阳极短路IGBT结构[J]半导体技术.2016,(09)
[6]李琦;徐弘毅;金锐;谢刚;郭清;盛况;.封装键合点对IGBT UIS失效的影响研究[J]机电工程.2015,(05)
[7]汤岑;谢刚;张丽;郭清;汪涛;盛况;.Electric field modulation technique for high-voltage AlGaN/GaN Schottky barrier diodes[J]Chinese Physics B.2013,(10)
[8]谢刚;汤岑;汪涛;郭清;张波;盛况;Wai Tung Ng;.An AlGaN/GaN HEMT with enhanced breakdown and a near-zero breakdown voltage temperature coefficient[J]Chinese Physics B.2013,(02)
[9]邓永辉;盛况;谢刚;.提高4H-SiC横向BJT电流增益的新思路[J]半导体技术.2013,(05)
[10]邓永辉;谢刚;汪涛;盛况;.A novel 4H-SiC lateral bipolar junction transistor structure with high voltage and high current gain[J]Chinese Physics B.2013,(09)
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