田达晰
【姓名】 田达晰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧,硅,晶锭,氧浓度,拉晶,晶转,熔体,坩埚,直拉硅单晶,控氧,CZ硅,均匀性,杂质,单晶,氧含量,均匀性控制,氧沉淀,硅熔体,硅材料,径向温度梯度,
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]张越;赵剑;董鹏;田达晰;梁兴勃;马向阳;杨德仁;.掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响[J]物理学报.2015,(09)
[2]田达晰;马向阳;曾俞衡;杨德仁;阙端麟;.300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布[J]半导体学报.2008,(01)
[3]奚光平;马向阳;田达晰;曾俞衡;宫龙飞;杨德仁;.低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用[J]物理学报.2008,(11)
[4]江慧华,杨德仁,田达晰,马向阳,李立本,阙端麟.锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响[J]半导体学报.2005,(11)
[5]田达晰,杨德仁,徐明生,阙端麟.直拉硅单晶中氧的轴向均匀性控制[J]材料科学与工程.2000,(03)
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中国博士学位论文全文数据库    共找到1篇
[1]田达晰.直拉单晶硅的晶体生长及缺陷研究[D].浙江大学.2010
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