施丹华
【姓名】 施丹华
【职称】
【研究领域】 化学;无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 顶位,原子,硫中毒机理,中心位,D—M,CO分子,预吸附,表面扩散,激活能,扩散系数,表面活化,吸附能,Ni原子,吸附态,高迁,大学物理教学,占有数,扩散激活能,分子簇,吸附位置,B态,吸附表面结构,...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]曹培林,施丹华.CO在Ni(100)表面活化及硫中毒机理的ASED—MO研究[J]物理学报.1985,(10)
[2]曹培林,施丹华.Cu在Pt表面扩散激活能和扩散系数的ASED-MO计算[J]计算物理.1986,(03)
[3]施丹华,曹培林.H_2O在Pt(100)表面的预吸附态与高迁移性能[J]物理学报.1987,(03)
[4]曹培林,施丹华.H在Ni表面的扩散性质及表面缺陷的影响—嵌入原子法(EAM)计算研究[J]计算物理.1989,(03)
[5]周煦炎,施丹华,曹培林.Si(100)2×1面上钾原子间相互作用和吸附表面结构[J]半导体学报.1991,(09)
[6]施丹华,林玉蟾,冷光尧,沈俊锋.用现代化的教学设施改革大学物理教学[J]厦门大学学报(自然科学版).1993,(S2)
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