周少白
【姓名】 周少白
【职称】 教授;
【研究领域】 工业通用技术及设备;材料科学;无线电电子学;
【研究方向】 光电半导体材料研究
【发表文献关键词】 硅原子,锗薄膜,分子动力学模拟,薄膜生长,异质外延生长,基底温度,二聚体,入射角度,入射能量,原子构型,界面层,分析讨论,生长过程,溅射,团簇,生长速率,重构表面,动力学过程,不同温度,晶化,
【工作单位】 云南大学
【曾工作单位】 云南大学;
【所在地域】 云南昆明
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[1]陈立桥;周少白;杨瑞东;杨宇;.溅射生长Ge/Si(100)_(2×1)薄膜的分子动力学研究[J]材料导报.2007,(03)
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[1]陈立桥;周少白;杨宇;.不同基底温度溅射生长Ge／Si(100)_(2×1)薄膜的分子动力学研究[A].2006年全国功能材料学术年会专辑.2006-07-01
[2]周少白;陈立桥;杨瑞东;杨宇;.c-Si表面的熔化及α-Si／Si薄膜晶化行为的分子动力学研究[A].2006年全国功能材料学术年会专辑.2006-07-01
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