黄笑容
【姓名】 黄笑容
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;
【研究方向】 硅材料杂质及缺陷的研究
【发表文献关键词】 气体熔化分析法,氧沉淀,硅中氧,位错,氮,重掺硅,硅单晶,滑移,CZ硅,红外光谱,二次缺陷,重掺杂直拉硅,缺陷,直拉硅,长大机制,直拉单晶硅,氧复合,成核,高碳,氮杂质,掺氮,诱生,CZSi,硅材料,...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 浙江杭州
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[1]黄笑容,杨德仁,沈益军,王飞尧,马向阳,李立本,阙端麟.重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷[J]半导体学报.2004,(06)
[2]刘培东,姜益群,黄笑容,沈益军,李立本,阙端麟.高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制[J]半导体学报.2005,(05)
[3]刘培东,黄笑容,沈益军,李立本,阙端麟.重掺硅中氧的测定[J]半导体学报.2001,(10)
[4]李东升,杨德仁,朱爱平,黄笑容,王淦,张锦心,李立本,阙端麟.氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用[J]半导体学报.2001,(11)
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