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崔灿
【姓名】
崔灿
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;电力工业;图书情报与数字图书馆;
【研究方向】
【发表文献关键词】
氧沉淀,钝化,少子寿命,直拉硅,PECVD,硅薄膜,氮化,氮化硅,直拉硅单晶,快速热处理工艺,CMOS工艺,太阳电池,热氧化法,掺氮,少数载流子,热氧化,性质研究,减反射膜,氧浓度,三步退火,硅材料,...
【工作单位】
浙江大学
【曾工作单位】
浙江大学;
【所在地域】
杭州
学术成果产出统计表
今年新增
/文献篇数
核心期刊论文数
基金论文数
第一作者篇数
总被引频次
总下载频次
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文献数(该学者统计年度当年发文总文献数)
被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到5篇
[1]王素芳;白雪;崔灿;.
高校学生对电子书的认知、使用和态度研究:以浙江大学为例
[J]大学图书馆学报.2014,(05)
[2]马强;杨德仁;马向阳;崔灿;.
快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响
[J]材料科学与工程学报.2006,(05)
[3]崔灿,杨德仁,余学功,马向阳,李立本,阙端麟.
热氧化法钝化硅片的少数载流子寿命
[J]半导体学报.2003,(01)
[4]崔灿,杨德仁,马向阳,余学功,李立本,阙端麟.
氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响
[J]半导体学报.2004,(08)
[5]王晓泉,汪雷,席珍强,徐进,崔灿,杨德仁.
PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究
[J]太阳能学报.2004,(03)
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中国博士学位论文全文数据库
共找到1篇
[1]崔灿.
直拉硅单晶的氧沉淀及内吸杂的研究
[D].浙江大学.2006
更多
中国优秀硕士学位论文全文数据库
共找到2篇
[1]崔灿.
环形编织工艺参数求解方法研究
[D].浙江大学.2024
[2]崔灿.
任务特征和决策规则对群体偏好反转的影响
[D].浙江大学.2008
更多
中国重要会议全文数据库
共找到2篇
[1]崔灿;杨德仁;马向阳;樊瑞新;阙端麟;.
直拉单晶硅片魔幻洁净区中氧沉淀行为
[A].2004年中国材料研讨会论文摘要集.2004-11-01
[2]李明;杨德仁;马向阳;崔灿;阙端麟;.
高压热处理对直拉硅中的热双施主的影响
[A].第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集.2006-11-01
更多
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1
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1
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1
樊瑞新
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1
李明
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1
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该学者文献引用过的学者
(学者,学者单位,篇数)
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