崔灿
【姓名】 崔灿
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;图书情报与数字图书馆;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧沉淀,钝化,少子寿命,直拉硅,PECVD,硅薄膜,氮化,氮化硅,直拉硅单晶,快速热处理工艺,CMOS工艺,太阳电池,热氧化法,掺氮,少数载流子,热氧化,性质研究,减反射膜,氧浓度,三步退火,硅材料,...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]王素芳;白雪;崔灿;.高校学生对电子书的认知、使用和态度研究:以浙江大学为例[J]大学图书馆学报.2014,(05)
[2]马强;杨德仁;马向阳;崔灿;.快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响[J]材料科学与工程学报.2006,(05)
[3]崔灿,杨德仁,余学功,马向阳,李立本,阙端麟.热氧化法钝化硅片的少数载流子寿命[J]半导体学报.2003,(01)
[4]崔灿,杨德仁,马向阳,余学功,李立本,阙端麟.氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响[J]半导体学报.2004,(08)
[5]王晓泉,汪雷,席珍强,徐进,崔灿,杨德仁.PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究[J]太阳能学报.2004,(03)
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[1]崔灿;杨德仁;马向阳;樊瑞新;阙端麟;.直拉单晶硅片魔幻洁净区中氧沉淀行为[A].2004年中国材料研讨会论文摘要集.2004-11-01
[2]李明;杨德仁;马向阳;崔灿;阙端麟;.高压热处理对直拉硅中的热双施主的影响[A].第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集.2006-11-01
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