黄士勇
【姓名】 黄士勇
【职称】 副教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 薄膜和量子点光电器件的研究
【发表文献关键词】 机理,ITO膜,靶长,利用率,膜厚分布,溅射,总压强,磁控溅射,射频溅射,MC方法,电致变色,磁控溅射器,全固态,氢化,使用周期,透射比,直流溅射,MonteCarlo,靶材利用率,旋转圆柱形磁控溅...
【工作单位】 烟台大学
【曾工作单位】 烟台大学;
【所在地域】 烟台
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[1]戴振宏,孙金祚,张立德,隋鹏飞,黄士勇,卢卯旺.对称量子点花样体系电容谱[J]中国科学G辑:物理学、力学、天文学.2003,(01)
[2]黄士勇,曲风钦,戴振宏,苗晔,钟玉荣,王仲训.基片和溅射参数对CuInSe_2量子点的影响[J]固体电子学研究与进展.2004,(02)
[3]黄士勇,曲凤钦,苗晔,孟兆坤.高靶材利用率的新型磁控溅射器[J]真空科学与技术.2000,(02)
[4]黄士勇,曲风钦,苗晔,孟兆坤,辛志荣.WO_3电变色材料的氢化技术研究[J]功能材料.2001,(04)
[5]黄士勇,曲风钦,苗晔,孟兆坤.全固态电致变色器件工艺技术研究[J]真空科学与技术.2001,(02)
[6]黄士勇,曲凤钦,苗晔,钟玉荣,孟兆坤,傅胜奇.无马达驱动的旋转圆柱形磁控溅射器[J]真空科学与技术.2001,(05)
[7]隋鹏飞,杨其艳,戴振宏,黄士勇.球型量子点电子填充性质的研究[J]烟台大学学报(自然科学与工程版).2002,(02)
[8]黄士勇,曲凤钦,苗晔.真空和射频溅射对ITO膜性能的影响[J]真空.1999,(02)
[9]黄士勇,曲风钦,苗晔,董维义.用MonteCarlo法模拟大型磁控溅射器的膜厚分布[J]真空电子技术.1999,(05)
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