刘纪美
【姓名】 刘纪美
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InGaN/GaN多量子阱,发光二极管,近场光学显微镜,低温,电致发光光谱,液氮温度,温度特性,近场光谱,受主能级,注入电流,载流子,光子能量,光致发光,光强起伏,非辐射复合,复合中心,跃迁,实验结果...
【工作单位】 香港科技大学
【曾工作单位】 香港科技大学;
【所在地域】 香港
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中国期刊全文数据库    共找到9篇
[1]薛莹;刘纪美;.侧向选区异质外延绝缘体上硅的Ⅲ-Ⅴ族有源器件（特邀）[J]激光与光电子学进展.2024,(19)
[2]黄杰;黎明;邓泽华;刘纪美;.L_g=100 nm T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs on Si substrates with non-planar source/drain regrowth of highly-doped n~+-GaN layer by MOCVD[J]Chinese Physics B.2014,(12)
[3]黄杰;黎明;刘纪美;.Normally-off metamorphic AlInAs/AlInAs HEMTs on Si substrates grown by MOCVD[J]Chinese Physics B.2015,(07)
[4]黄杰;黎明;赵倩;顾雯雯;刘纪美;.Hetero-epitaxy of L_g= 0.13-μm metamorphic AlInAs/GaInAs HEMT on Si substrates by MOCVD for logic applications[J]Chinese Physics B.2015,(08)
[5]黎明;王勇;王凯明;刘纪美;.Low-leakage-current AlGaN/GaN HEMTs on Si substrates with partially Mg-doped GaN buffer layer by metal organic chemical vapor deposition[J]Chinese Physics B.2014,(03)
[6]王勇;于乃森;黎明;刘纪美;.MOCVD生长非故意掺杂GaN/Si薄膜的电阻率控制研究[J]科技创新导报.2011,(31)
[7]王勇;余乃林;王丛舜;刘纪美;.双AlN插入层法在Si图形衬底上进行AlGaN/GaN HEMT的MOCVD生长[J]长春理工大学学报(自然科学版).2011,(04)
[8]李海鸥;黄伟;邓泽华;邓小芳;刘纪美;.Fabrication of 160-nm T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on GaAs substrates by metal organic chemical vapour deposition[J]Chinese Physics B.2011,(06)
[9]徐耿钊,梁琥,白永强,刘纪美,朱星.低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究[J]物理学报.2005,(11)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]周伟;邓泽华;刘纪美;.MOCVD生长锑基半导体材料在电子器件的应用[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13
[2]邓冬梅;于乃森;王勇;邹新波;陈朋;刘纪美;.Ⅲ族氮化物发光二极管在多孔硅上的生长[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13
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