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VincentM
【姓名】
VincentM
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
镍,非晶硅,晶化,晶化工艺,硅薄膜,非晶,晶化速率,晶化机理,材料的特性,晶化时间,香港科技大学,低温退火,晶化温度,大晶粒,Livin,详细调查,电机工程,CMOS,晶体,Form,
【工作单位】
香港科技大学
【曾工作单位】
香港科技大学;
【所在地域】
香港
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共找到1篇
[1]秦明,VincentM.C.Poon.
非晶硅薄膜的镍诱导横向晶化工艺及其特性
[J]半导体学报.2001,(01)
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