郑耀宗
【姓名】 郑耀宗
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;高等教育;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氧化层,二氧化硅界面,氧化机理,线性氧化速率,动力学模型,闪烁噪声,铜膜,二氧化硅,热氮化,氧分子,杂质浓度,氧化层厚度,固定电荷,电流传输,外加电场,氧化硅,实验结果,氧化速率,快速热氮化,硅衬底,...
【工作单位】 香港大学
【曾工作单位】 香港大学;
【所在地域】 香港
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[1]郑耀宗.21世纪高等教育——香港大学的发展趋向[J]上海高教研究.1997,(05)
[2]卢豫曾,郑耀宗.二氧化硅生长新的动力学模型[J]物理学报.1985,(04)
[3]卢豫曾,郑耀宗.关于硅的快速始初氧化机理[J]物理学报.1989,(01)
[4]王曦,郑耀宗,阮刚,王建伟.溅射铜膜的闪烁噪声和表面粗糙度的关系[J]电子学报.1990,(06)
[5]杨炳良,刘百勇,陈斗南,郑耀宗.SiO_xN_y薄膜的微观结构与新的电流传输机理模型[J]物理学报.1991,(02)
[6]李观启,黄美浅,刘百勇,郑耀宗.三氯乙烯氧化硅膜推迟破坏性击穿的机理研究[J]物理学报.1991,(11)
[7]刘志宏,马志坚,黎沛涛,郑耀宗,刘百勇.利用电导技术研究快速热氮化二氧化硅与硅界面的性质[J]半导体学报.1991,(01)
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