何永健
【姓名】 何永健
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Si,表面,6H-SiC(0001),表面终止状态,LEED,表面重构,原子结构,6H-SiC,表面原子,可靠性因子,原子吸附,重构表面,物理系,原子,自动搜寻,最顶层,原子复合,香港大学,原子层,终...
【工作单位】 香港大学
【曾工作单位】 香港大学;
【所在地域】 香港
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[1]谢茂海;郭欣;徐忠杰;何永健;.Molecular-beam epitaxy of topological insulator Bi_2Se_3(111) and (221) thin films[J]Chinese Physics B.2013,(06)
[2]邓丙成,徐耕,陈文华,何永健,谢茂海,唐叔贤.Si(111)-(3~(1/2)×3~(1/2))R30°-Ga表面原子结构[J]半导体学报.2001,(04)
[3]邓丙成,陈滢,徐耕,陈文华,何永健,谢茂海,唐叔贤.ATLEED研究6H-SiC(0001)(3~(0.5)×3~(0.5))R30°重构表面[J]物理学报.2001,(01)
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