王曦
【姓名】 王曦
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氮氧化硅,电子陷阱,浅陷阱,陷阱表,氮化,漏电流,有效电子,释放特性,SiO_x,高场,漏电特性,本征击穿,硅电容,氮化时间,释放率,陷阱,注入电子,电场,FN电流,硅膜,氮氧化,外加电场,能级,隧穿...
【工作单位】 香港城市理工学院
【曾工作单位】 香港城市理工学院;
【所在地域】 香港
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[1]杨炳良,刘百勇,郑耀宗,王曦.SiO_xN_y薄膜高场电子陷阱和释放特性的研究[J]物理学报.1991,(11)
[2]杨炳良,王曦,郑耀宗.金属—氮氧化硅—硅电容在本征击穿前的漏电特性[J]电子学报.1993,(11)
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