JohnnyK
【姓名】 JohnnyK
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 槽栅,等离子氢化,闩锁效应,氢化工艺,氢化,功率晶体管,薄膜晶体管,多晶硅薄膜,闩锁,硅薄膜,双极晶体管,多晶,特性研究,多晶硅,英文,电子科学与技术,二氧化硅钝化层,接触孔,沟道,栅氧化层,氢进入,...
【工作单位】 香港科技大学
【曾工作单位】 香港科技大学;
【所在地域】 香港
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[1]曾祥斌,徐重阳,JohnnyK.O.Sin,王长安,赵伯芳,周雪梅,张洪涛,饶瑞.多晶硅薄膜的等离子氢化新工艺[J]微电子学.2000,(06)
[2]蔡军,JohnnyK.O.Sin.横向槽栅双极晶体管的闩锁特性研究(英文)[J]中国科学技术大学学报.1999,(04)
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