颜炳章
【姓名】 颜炳章
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 束缚激子,压力行为,氮浓度,N浓度,吸收法测定,GaAs,混晶无序,等电子陷阱,透射光谱,积分吸收,外延层,光吸收,吸收系数,线光,光激活,掺入,液相外延,激发功率,混晶,光致发光,光吸收法,能级,线...
【工作单位】 厦门大学
【曾工作单位】 厦门大学;
【所在地域】
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[1]俞容文,郑健生,颜炳章.混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究[J]半导体学报.1999,(05)
[2]俞容文，郑健生，糜东林，颜炳章.低激发功率密度下GaAs_（1－x）Px：N（x＝0．88）的NNi对发光[J]半导体学报.1994,(07)
[3]俞容文，郑健生，肖梅杰，林之融，颜炳章.混晶GaAs_（1－x）P_x∶N中N_x发光的声子伴线结构[J]发光学报.1996,(01)
[4]俞容文,郑健生,颜炳章.混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.88)中NN_1对束缚激子发光的声子伴线[J]厦门大学学报(自然科学版).1997,(06)
[5]颜炳章,郑健生.光吸收法测定GaP中氮浓度[J]厦门大学学报(自然科学版).1981,(02)
[6]张勇,余畸,郑健生,颜炳章,吴伯僖,李国华,汪兆平,韩和相.GaAs_(1-x)P_x:N束缚激子的压力行为[J]物理学报.1988,(12)
[7]余琦,张勇,郑健生,颜炳章.GaP:N,Zn中等电子陷阱与Zn受主之间的辐射复合[J]半导体学报.1989,(09)
[8]糜东林,郑健生,颜炳章,李国华,汪兆平,韩和相.静压下GaAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光[J]厦门大学学报(自然科学版).1990,(05)
[9]俞容文,郑健生,颜炳章.GaAs_(1-x)Px:N中氮浓度的光吸收法测量[J]厦门大学学报(自然科学版).1992,(02)
[10]郑健生;颜炳章;.硫化镉多晶的光电导[J]厦门大学学报(自然科学版).1961,(02)
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