谢生
【姓名】 谢生
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅直接键合,晶片直接键合,直接键合,等离子体刻蚀,键合机理,微机电系统,多孔硅(PS),键合,化合物半导体,Si/InP界面,紫光发射,晶片,键合技术,蓝光发射,热退火,硅片直接键合,亲水处理,半导体...
【工作单位】 厦门大学
【曾工作单位】 厦门大学;
【所在地域】 福建厦门
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[1]何国荣,陈松岩,谢生.Si-Si直接键合的研究及其应用[J]半导体光电.2003,(03)
[2]谢生,陈松岩,何国荣.化合物半导体晶片和器件键合技术进展[J]固体电子学研究与进展.2003,(03)
[3]陈松岩,谢生,何国荣,刘宝林,蔡加法,陈丽荣,黄美纯.氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性[J]发光学报.2004,(01)
[4]陈松岩,何国荣,谢生.Si/InP键合界面的研究[J]半导体光电.2004,(02)
[5]陈松岩,何国荣,谢生.Si/Si键合结构的电学性质测量及模拟[J]量子电子学报.2004,(03)
[6]陈松岩,谢生,何国荣.Si/Si直接键合界面性质的研究[J]固体电子学研究与进展.2004,(03)
[7]陈松岩,谢生,何国荣.Si/Si直接键合界面的FTIR和XPS研究[J]半导体光电.2004,(05)
[8]谢生,陈松岩,王水菊,何国荣,林爱清,陈朝.InP/GaAs材料和器件的直接键合[J]半导体光电.2004,(06)
[9]谢生,陈松岩,何国荣,周海文,吴孙桃.InP/GaAs低温键合的新方法[J]功能材料.2005,(03)
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