王学森
【姓名】 王学森
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 互作用,性质研究,上生,物理系,浙江大学,杭州,单原子层,相互作用行为,XPS测量,覆盖度,层状生长,义政,生长模式,扫描隧道显微镜,新加坡国立大学,学科点,物理学报,等学校,x射线,光电子能谱,
【工作单位】 新加坡国立大学
【曾工作单位】 新加坡国立大学;
【所在地域】 新加坡
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[1]王畅;王学森;肖文德;.Ce诱导Si(111)表面重构和相变机制的研究[J]真空科学与技术学报.2022,(04)
[2]党志亚;罗余庆;王学森;Muhammad Imran;高平奇;.Electron-beam-induced degradation of halide-perovskite-related semiconductor nanomaterials[J]Chinese Optics Letters.2021,(03)
[3]徐茂杰;Jeyanthinath Mayandi;王学森;贾金锋;薛其坤;窦晓鸣;.STM observation of pit formation and evolution during the epitaxial growth of Si on Si(001) surface[J]Chinese Physics B.2010,(10)
[4]胡昉,张寒洁,吕斌,陶永升,李海洋,鲍世宁,何丕模,王学森.Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究[J]物理学报.2005,(03)
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