吴大兴
【姓名】 吴大兴
【职称】
【研究领域】 金属学及金属工艺;工业通用技术及设备;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 PCVD,氮化硅,等离子化学气相沉积法,导线夹,非晶态,阴极放电,Si_3N_4薄膜,硼铝,PCVD法,直流电,接线座,挤压模具,碳氮,共渗层,共渗,工艺条件,硅薄膜,结合力,氮化,涂层,阴极位降,模...
【工作单位】 西南交通大学
【曾工作单位】 西南交通大学;
【所在地域】 成都
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[1]杨川,高国庆,吴大兴.碳素结构钢多元共渗后的微观组织结构与抗蚀性的关系[J]材料保护.2004,(11)
[2]常志梁,董良,张金旺,杨川,吴大兴,陶佑卿.铝型材挤压模具PCVD TiN必要条件研究[J]表面技术.1995,(01)
[3]杨川，吴大兴，高国庆.超厚硼铝共渗层的研究[J]金属热处理学报.1995,(03)
[4]高国庆，杨川，吴大兴.改善导线夹弹性的热处理工艺研究[J]热加工工艺.1995,(02)
[5]高国庆,杨川,吴大兴.提高接线座弹性的对策[J]低压电器.1995,(05)
[6]周海,吴大兴,杨川,高国庆.DC-PCVD装置中阴阳极上Si_3N_4薄膜沉积模型[J]机械工程材料.1997,(04)
[7]周海,吴大兴,杨川,高国庆.DC-PCVD法快速制备Si_3N_4薄膜[J]硅酸盐学报.1997,(04)
[8]吴大兴,杨川,高国庆.用DC-PCVD装置对钢沉积Si_3N_4薄膜[J]金属学报.1997,(03)
[9]周海,吴大兴.对DC-PCVD装置沉积Si_3N_4薄膜机理的研究[J]北京石油化工学院学报.1997,(01)
[10]陶佑卿;吴大兴;杨川;.氮化铝析出量“峰值温度”理论推算[J]四川冶金.1987,(04)
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