刘志宏
【姓名】 刘志宏
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 热氮化,快速热氮化,氮化,氧化硅,SiO_2膜,击穿特性,击穿场强,界面态,表面势,TDDB,氧化层,氮化膜,高场,击穿性能,界面态密度,陷阱密度,俘获截面,介质击穿,正电荷,阴极电,对栅,MOS结构...
【工作单位】 香港大学
【曾工作单位】 香港大学;
【所在地域】 香港
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[1]刘志宏,陈蒲生,刘百勇,郑耀宗.150快速热氮化SiO_2膜的击穿特性[J]物理学报.1991,(01)
[2]刘志宏,马志坚,黎沛涛,郑耀宗,刘百勇.利用电导技术研究快速热氮化二氧化硅与硅界面的性质[J]半导体学报.1991,(01)
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