Beling
【姓名】 Beling
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 正电子捕获,低温光致发光,碳化硅(SiC),退火,辐照诱生缺陷,电子辐照,正电子寿命,6H-SiC,碳化硅,辐照特性,发光中心,n型,缺陷体,DLTS,诱生缺陷,深能级,正电子,反位,中子辐照,火行为...
【工作单位】 香港大学
【曾工作单位】 香港大学;
【所在地域】 香港
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[1]张伶俐,邓爱红,Shan Y Y,Beling C D,Fung S.电子辐照前后的n型6H-SiC低温正电子捕获的研究[J]四川大学学报(自然科学版).2004,(02)
[2]王鸥,丁元力,钟志亲,袁菁,龚敏,Chen X D,Fung S,Beling C D.6H-SiC辐照特性的低温光致发光研究[J]光散射学报.2004,(01)
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