陆吟泉
【姓名】 陆吟泉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 AlN基片,薄膜,RGA,Ta_2N/TiW/Au,腐蚀,溅射,金属化,复合导体,稀盐,氮分压,附着特性,酸处理,靶基距,导带,工作点,腐蚀液,清洗剂,激光划片,导电物质,电阻温度系数,溅射参数,溅射...
【工作单位】 西南电子设备研究所
【曾工作单位】 西南电子设备研究所;
【所在地域】 四川成都
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[1]高能武,秦跃利,陆吟泉,孔祥栋.Ta_2N-TiW-An复合导体研究[J]功能材料.2000,(04)
[2]高能武,陆吟泉,秦跃利,吴云海.AlN基片的薄膜金属化[J]电子元件与材料.1999,(05)
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