余辛
【姓名】 余辛
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 光伏谱,DX中心,混晶,光离化,应变量子阱,GaAs,谱峰,Laplace谱,深能级,InGaAs/GaAs,光电容,跃迁,InGaAs／GaAs,量子阱,DLTS谱,接带,杂质缺陷,DLTS,低温光...
【工作单位】 厦门大学
【曾工作单位】 厦门大学;
【所在地域】 福建厦门
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[1]余辛,詹华瀚,康俊勇,黄启圣.用Laplace谱研究缺陷深能级精细结构[J]半导体光电.2001,(05)
[2]张元常,黄启圣,康俊勇,吴正云,余辛.GaAsP混晶中的DX中心[J]物理学报.1995,(08)
[3]吴正云,王小军,余辛,黄启圣.InGaAs/GaAs应变量子阱的低温光伏谱[J]红外与毫米波学报.1997,(05)
[4]吴正云,王小军,余辛,黄启圣.用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质[J]物理学报.1997,(07)
[5]余辛,吴正云,黄启圣.InGaAs/GaAs应变单量子阱的表面光伏谱[J]厦门大学学报(自然科学版).1998,(02)
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