施财辉
【姓名】 施财辉
【职称】
【研究领域】 化学;无线电电子学;仪器仪表工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 电沉积过程,玻碳,放大测量,隧道电子,局域场,放电极,纳米,控电位,沉积,C_(60),坍塌,微电极,电化学,金离子,电沉积,共吸附,多晶电极,离子束,固液界面,电极电位,银,吸附,临界核,原子分辨率...
【工作单位】 厦门大学
【曾工作单位】 厦门大学;
【所在地域】 厦门
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[1]陈意安,施财辉,谢兆雄,吴剑鸣,毛秉伟.现场STM针尖诱导Ag(111)表面局域刻蚀[J]电子显微学报.2001,(05)
[2]毛秉伟,蔡雄伟,施财辉,谢兆雄,汤儆,陈意安,田中群,田昭武.电化学扫描微探针技术在固-液界面表征和修饰中的应用[J]复旦学报(自然科学版).1999,(01)
[3]陆琪,庞代文,胡深,程介克,蔡雄伟,施财辉,毛秉伟,戴鸿平.DNA修饰电极的研究——Ⅶ.共价键合和吸附DNA-SAM/Au修饰电极的制备及表征[J]中国科学(B辑).1999,(04)
[4]毛秉伟，施财辉，李筱琴，熊丽华.金电沉积过程的电化学放大测量的初步研究[J]电化学.1996,(03)
[5]唐紫超,蔡雄伟,施财辉,毛秉伟,谢兆雄,黄荣彬,郑兰荪.C_(60)离子束撞击固体表面的坍塌与沉积(Ⅱ)扫描隧道显微研究[J]物理化学学报.1997,(10)
[6]施财辉,蔡雄伟,陈燕霞,田中群,毛秉伟.拓宽具有原子分辨率的ECSTM研究至多晶电极表面[J]物理化学学报.1997,(12)
[7]谢兆雄,蔡雄伟,施财辉,毛秉伟,田昭武.隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响——控电位下的Si(111)表面的STM诱导纳米刻蚀[J]电化学.1997,(02)
[8]钟起玲,王敦清,刘峰名,粟晓琼,施财辉,田中群.硫脲与多种阴离子共吸附行为的拉曼光谱研究[J]物理化学学报.1998,(06)
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