廖任远
【姓名】 廖任远
【职称】
【研究领域】 物理学;化学;
【研究方向】 半导体异质结与超晶格的研究
【发表文献关键词】 带阶,周期性磁场,有效质量理论,电子能带结构,异质结,应变层,平均键能,平均键能方法,单量子阱,中电子,价带,GaAs,形变势,简化模,应变状态,形变,晶格常数,带隙,异质结界面,许可带,计算结果,轨...
【工作单位】 厦门大学
【曾工作单位】 厦门大学;
【所在地域】 厦门
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[1]余炎强;郑东琛;叶春荣;廖任远;.寻找囚禁在光腔中的玻色-爱因斯坦凝聚体的八重准晶[J]原子与分子物理学报.2020,(03)
[2]廖任远,郑永梅,王仁智,李书平.周期性磁场下的GaAs/Al_xGa_(1-x)As单量子阱中电子的能带结构[J]厦门大学学报(自然科学版).2000,(06)
[3]廖任远,蔡淑惠,郑永梅,王仁智,李书平.平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型[J]发光学报.2001,(02)
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