柯三黄
【姓名】 柯三黄
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 价带,异质结,形变势,平均键能,LMTO,InAs,光学声子,计算方案,不连续,原子球,能带裁剪,应变层,金刚石结构,应变层超晶格,既约表示,导带,超晶格,成键态,价带偏移,能带计算,空球,理论计算,...
【工作单位】 厦门大学
【曾工作单位】 厦门大学;
【所在地域】 厦门
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[1]王仁智,柯三黄,郑永梅,黄美纯.用平均键能确定异质结价带偏移的准确性研究[J]科学通报.1994,(20)
[2]王仁智，柯三黄，黄美纯.不同晶向、厚度的超晶格界面的平均键能行为[J]物理学报.1994,(12)
[3]王仁智，黄美纯，柯三黄，李开航.Si／Ge应变层异质结价带偏移的剪裁与设计[J]固体电子学研究与进展.1995,(04)
[4]柯三黄,黄美纯,王仁智.应变层超晶格(InAs)_n/(GaAs)_n的电子结构与价带能量不连续性[J]物理学报.1995,(07)
[5]柯三黄，黄美纯，王仁智.Si－GaAs（001）异质界面的价带不连续性及其应变效应[J]半导体学报.1996,(03)
[6]柯三黄，黄美纯，王仁智.不同晶面与应变状态下Si／Ge应变异质界面的价带能量不连续性[J]物理学报.1996,(01)
[7]王仁智;郑永梅;柯三黄;黄美纯;朱梓忠;.Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算[J]计算物理.1996,(02)
[8]王仁智,黄美纯,柯三黄.异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用[J]厦门大学学报(自然科学版).1991,(05)
[9]柯三黄,王仁智,黄美纯.金刚石结构晶体Λ,△轴光学声子形变势的LMTO-ASA计算[J]半导体学报.1992,(07)
[10]柯三黄,王仁智,黄美纯.应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性[J]物理学报.1993,(09)
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