陈厦平
【姓名】 陈厦平
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 宽禁带半导体材料薄膜的制备及紫外光电探测器的研制
【发表文献关键词】 Schottky势垒,4H-SiC,SiC,ICP刻蚀,工作压强,表面损伤,紫外光探测,雪崩光电探测器,光电子学,击穿电压,退火温度,刻蚀速率,光谱响应,吸收层,光电流,紫外光电探测器,刻蚀气体,暗电...
【工作单位】 厦门大学
【曾工作单位】 厦门大学;
【所在地域】 福建厦门
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[5]魏晓丽;张玲;陈厦平;王辅明;.含氢DLC膜的疏水性研究[J]表面技术.2016,(05)
[6]郑云哲;林冰金;张明昆;蔡加法;陈厦平;吴正云;.4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究[J]量子电子学报.2011,(06)
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[9]陈厦平;朱会丽;蔡加法;.4H-SiC表面热氧化生长SiO_x薄膜特性的研究[J]量子电子学报.2010,(04)
[10]朱会丽;陈厦平;吴正云;.吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器[J]半导体学报.2007,(02)
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