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秦跃利
【姓名】
秦跃利
【职称】
高级工程师;
【研究领域】
无线电电子学;电力工业;无机化工;
【研究方向】
稀土金属的原子光谱分析方法研究、柔性基材的集成电路印制板加工、薄膜集成电路一体化工艺研究及贵金属电镀研究
【发表文献关键词】
微波印制电路,PTFE,电镀Ni/Au,AlN基片,薄膜,附着力,金属化,扩散,气氛,TiW-Au膜系结构,溅射,RGA,Ta_2N/TiW/Au,腐蚀,镀镍层,镀Ni,线焊,微波器件,可靠性,高可靠...
【工作单位】
西南电子设备研究所
【曾工作单位】
西南电子设备研究所;
【所在地域】
四川成都
学术成果产出统计表
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核心期刊论文数
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被引频次(该学者统计年度当年发文总被引频次)
浏览趋势(该学者统计年度当年发文总浏览频次)
下载频次(该学者统计年度当年发文总下载频次)
学术成果产出明细表
中国期刊全文数据库
共找到10篇
[1]秦跃利;高能武;谢飞;.
杜洛埃有机介质上集成薄膜电阻工艺研究
[J]电子工艺技术.2015,(02)
[2]秦跃利;何文杰;石磊;谢飞;.
TaN薄膜电阻的功率加载特性研究
[J]电子元件与材料.2015,(03)
[3]秦跃利;刘志辉;王春富;李彦睿;肖晖;.
LTCC-D高密度微波集成工艺技术研究
[J]电子工艺技术.2014,(02)
[4]秦跃利;高能武;.
LTCC在微流控系统中的应用
[J]电子元件与材料.2014,(11)
[5]秦跃利;王春富;项博;.
应用6σ优化薄膜制造过程能力
[J]电子工艺技术.2013,(06)
[6]秦跃利,高能武,吴云海.
改进工艺提高薄膜附着力
[J]电子元件与材料.2000,(01)
[7]高能武,秦跃利,谢飞,孔祥栋.
TiW-Au金属化结构的金层剥离问题
[J]电子元件与材料.2000,(03)
[8]高能武,秦跃利,陆吟泉,孔祥栋.
Ta_2N-TiW-An复合导体研究
[J]功能材料.2000,(04)
[9]高能武,陆吟泉,秦跃利,吴云海.
AlN基片的薄膜金属化
[J]电子元件与材料.1999,(05)
[10]龙继东,程娟南,徐波,秦跃利,陈昊.
高可靠镀Ni/Au工艺及其在微波PTFE电路上的应用
[J]电子工艺技术.1998,(03)
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中国重要会议全文数据库
共找到1篇
[1]王春富;秦跃利;.
平行封焊技术在微波器件封装中的应用
[A].第十四届全国混合集成电路学术会议论文集.2005-09-01
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电子科技大学
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南昌大学
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(学者,学者单位,篇数)
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西南电子设备研究所
2
陆吟泉
西南电子设备研究所
2
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西南电子设备研究所
1
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西南电子设备研究所
2
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西南电子设备研究所
1
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西南电子设备研究所
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1
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1
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1
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(学者,学者单位,篇数)
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2
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2
周和平
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2
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