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[1]薛成山;董志华;庄惠照;王书运;高海永;田德恒;吴玉新;.以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜[J]稀有金属材料与工程.2006,(03)
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[2]庄惠照;高海永;薛成山;王书运;何建廷;董志华;.氮化ZnO/Ga_2O_3薄膜合成GaN纳米管[J]材料科学与工艺.2007,(01)
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[3]郭兴龙,于先进,薛成山,董志华,高海永.磁控溅射制作金红石——TiO_2[J]微纳电子技术.2003,(12)
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[4]薛成山,魏芹芹,孙振翠,曹文田,董志华.热壁CVD法GaN微晶粒的制备[J]科学技术与工程.2003,(03)
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[5]庄惠照,高海永,薛成山,王书运,董志华.Si基ZnO/Ga_2O_3氨化反应制备GaN薄膜[J]微细加工技术.2004,(02)
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[6]高海永,庄惠照,薛成山,王书运,董志华,李忠.氮化Si基ZnO/Ga_2O_3制备GaN薄膜[J]微纳电子技术.2004,(06)
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[7]高海永,庄惠照,薛成山,王书运,董志华,何建廷.竹叶状GaN纳米带的制备[J]电子元件与材料.2004,(09)
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[8]孙振翠,曹文田,魏芹芹,薛成山,李玉国,董志华.硅基镓浓度对GaN晶体膜质量的影响[J]微细加工技术.2004,(03)
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[9]董志华,薛成山,庄惠照,王书运,高海永,田德恒,吴玉新,何建廷,刘亦安.合成GaN粗晶体棒的研究[J]微纳电子技术.2005,(03)
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[10]庄惠照,高海永,薛成山,董志华.ZnO/Ga_2O_3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响(英文)[J]稀有金属材料与工程.2005,(01)
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