朱作云
【姓名】 朱作云
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 β－SiC薄膜,淀积温度,蓝宝石/氮化铝复合衬底,多晶碳化硅,外延生长,晶格失配,结晶度,高温,差分电容器,薄膜外延,β-SiC,氮化铝,X射线衍射,蓝宝石,温度依赖关系,热氧化,加速度传感器,外延薄...
【工作单位】 西北电讯工程学院
【曾工作单位】 西北电讯工程学院;
【所在地域】
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[1]朱作云;.用三氯乙烯氧化剥层吸除硅外延层微缺陷[J]西北电讯工程学院学报.1985,(01)
[2]李跃进;朱作云;.低-常压两步外延生长技术[J]西安电子科技大学学报.1988,(04)
[3]朱作云;李跃进;周世禄;崔艳玲;.硅外延层厚度均匀性的研究[J]西北电讯工程学院学报.1988,(01)
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