顾英
【姓名】 顾英
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 少子产生寿命,非均匀掺杂,MOS电容,产生寿命,少子寿命,空间分布,非均匀掺杂衬底,离子注入,耗尽区,MOS结构,反型层电荷,空间电荷区,电容法,掺杂分布,电压扫描,线性扫描,杂质分布,反型,扫描线,...
【工作单位】 西北电讯工程学院
【曾工作单位】 西北电讯工程学院;
【所在地域】 西安
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[1]黄庆安,史保华,顾英,张德胜.非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量[J]半导体学报.1989,(07)
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